匣钵对晶体氧含量的影响

　　如果想要更好地使用匣钵，那么我们就应该做出一些相关的了解，有的时候我们去做检测的时候，我们应该要知道晶体氧含量，那么它对晶体氧含量的影响是什么？

　　1、单晶中氧的主要来源

　　虽然匣钵的熔点要高于硅料的熔点，但是在高温过程中熔融的液态硅会侵蚀坩埚，从而导致少量的氧进入晶体内部。在硅的熔点（1420℃）附近，溶硅与坩埚作用，生成SIO进入硅溶体。然后经过机械对流、热对流等方式使SIO传输到熔体表面，因此到达硅熔体表面的SIO以气体形式挥发，而剩下的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形态存在于液体硅中之后进入晶体内从而影响单晶的氧含量。

　　2、坩埚阻止氧含量释放的措施

　　氧主要来源于匣钵，因此如何降低坩埚中氧的释放则是单晶降低氧含量的重要手段，而产品品质的好坏直接关系到放含量的释放程度。坩埚中氧的释放过程实际上就是坩埚气泡层穿透透明层向硅液中释放氧的过程，而在坩埚内层烧结一层3-5mm左右的透明层，从而既保证了坩埚内表面的纯度又不致于使坩埚软化点过低。因此，坩埚透明层的质量好坏决定了坩埚气泡的释放程度。

　　以上就是匣钵对晶体氧含量影响的一些相关介绍，我们只要是知道晶体氧含量的影响，那么我们可以按照以上这些，来做一些工作。